High density and low leakage current based SRAM cell using 45 nm technology (Englisch)
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In:
International Journal of Electronics
;
100
, 4
;
536-552
;
2013
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:High density and low leakage current based SRAM cell using 45 nm technology
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Beteiligte:Akashe, Shyam ( Autor:in ) / Sharma, Sanjay ( Autor:in )
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Erschienen in:International Journal of Electronics ; 100, 4 ; 536-552
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Verlag:
- Neue Suche nach: Taylor & Francis Group
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Erscheinungsdatum:01.04.2013
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Format / Umfang:17 pages
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 100, Ausgabe 4
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