Gettering effect of Si2+-ion-implantation on impurity in Si crystal (Japanisch)
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In:
Annual Report of Engineering Research Institute, School of Engineering, University of Tokyo
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59
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61-65
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2000
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Gettering effect of Si2+-ion-implantation on impurity in Si crystal
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Weitere Titelangaben:Titel japanisch
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Beteiligte:Minagawa, N. ( Autor:in ) / Kita, K. ( Autor:in ) / Otomo, J. ( Autor:in ) / Wen, Ching-Ju ( Autor:in ) / Takahashi, H. ( Autor:in )
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Erschienen in:
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2000
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Format / Umfang:5 Seiten, 4 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Japanisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 59
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Gettering effect of Si2+-ion-implantation on impurity in Si crystalMinagawa, N. / Kita, K. / Otomo, J. / Wen, Ching-Ju / Takahashi, H. et al. | 2000
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Cooperative handling system of multiple mobile robots (1st report: Manipulation system of a large object)Yamashita, A. / Ota, J. / Arai, T. / Asama, H. et al. | 2000
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Lateral growth of silicon films from metal solutionsKita, K. / Wen, Ching-Ju / Otomo, J. / Yamada, K. / Komiyama, H. / Takahashi, H. et al. | 2000
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Material design of the ceramic sensors with functional interfaceNakamura, Y. / Miyayama, M. / Kudo, T. / Okada, O. / Yanagida, H. et al. | 2000
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Development of mono layer resolved analytical HRTEMIkuhara, Y. / Yamamoto, T. et al. | 2000
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Dislocation structure in compressed alpha -Al2O3 single crystalsNakamura, A. / Yamamoto, T. / Ikuhara, Y. et al. | 2000
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PTCR effect in semiconductive BaTiO3 polycrystals doped with a small amount of cationsYamamoto, T. / Ikuhara, Y. et al. | 2000
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Analysis and improvement of sigma -modified robust adaptive lawKikuchi, S. / Shin, S. et al. | 2000
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Finite-time settling control with path points specificationSuzuki, D. / Shin, S. et al. | 2000
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Study on the synchronization between laser and electron pulsesWatanabe, T. / Muroya, Y. / Ueda, T. / Yoshii, K. / Kobayashi, T. / Fukasawa, A. / Katsumura, Y. / Uesaka, M. et al. | 2000