Growth and characterization of Al2O3 gate dielectric films by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (Englisch)
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In:
Advanced Electronic-Ceramic Materials, IUMRS-ICEM, International Conference on Electronic Materials, 8
;
842-848
;
2003
-
ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Growth and characterization of Al2O3 gate dielectric films by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
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Beteiligte:Shao, Qi-Yue ( Autor:in ) / Li, Ai-Dong ( Autor:in ) / Ling, Hui-Qin ( Autor:in ) / Wu Di ( Autor:in ) / Wang Yuan ( Autor:in ) / Feng Yan ( Autor:in ) / Yang, Sen-Zu ( Autor:in ) / Liu, Zhi-Guo ( Autor:in ) / Wang Mu ( Autor:in ) / Ming, Nai-Ben ( Autor:in )
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Erschienen in:Microelectronic Engineering ; 66, 1-4 ; 842-848
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2003
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Format / Umfang:7 Seiten, 14 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle: