Topography evolution of Si (001) substrate fabricated by Ar(+) ion beam sputter-etching (Koreanisch)
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In:
Journal of the Korean Institute of Metals and Materials
;
43
, 1
;
68-73
;
2005
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Topography evolution of Si (001) substrate fabricated by Ar(+) ion beam sputter-etching
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Weitere Titelangaben:Oberflächentopographieentwicklung eines (001)-orientierten Si-Substrats durch Ar(+)-Ionenstrahlätzen
Titel koreanisch -
Beteiligte:
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Erschienen in:Journal of the Korean Institute of Metals and Materials ; 43, 1 ; 68-73
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2005
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Format / Umfang:6 Seiten, 6 Bilder, 13 Quellen
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Koreanisch
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Schlagwörter:Oberflächentopographie , Oberflächenbehandlung , Kristallorientierung , Nanostruktur , Welligkeit , periodisches Objekt , Profiltiefe , Rasterkraftmikroskopie , Verfahrensschema , Verfahrensparameter , schräge Einfallsrichtung , senkrechte Einfallsrichtung , Nanotechnologie , Inselgefüge , dreidimensionales Objekt , Häufigkeitsverteilung , Siliciumsubstrat , Ionenstrahlätzen , Argonion , Selbstorganisation
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 43, Ausgabe 1
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