Influence of n-type doping on light emission properties of GaN layers and GaN-based quantum well structures (Englisch)
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- Neue Suche nach: Phillips, M.R.
In:
E-MRS Fall Meeting, European Materials Research Society, Fall Meeting, 2004
;
1056-1059
;
2005
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Influence of n-type doping on light emission properties of GaN layers and GaN-based quantum well structures
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Beteiligte:Godlewski, M. ( Autor:in ) / Ivanov, V.Y. ( Autor:in ) / Lusakowska, E. ( Autor:in ) / Bozek, R. ( Autor:in ) / Miasojedovas, S. ( Autor:in ) / Jursenas, S. ( Autor:in ) / Kazlauskas, K. ( Autor:in ) / Zukauskas, A. ( Autor:in ) / Goldys, E.M. ( Autor:in ) / Phillips, M.R. ( Autor:in )
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Erschienen in:Physica Status Solidi / C: Current topics in solid state physics ; 2, 3 ; 1056-1059
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2005
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Format / Umfang:4 Seiten, 4 Bilder, 10 Quellen
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:epitaxiale Schicht , Quantentopf , Güte , Gewalt , Rasterelektronenmikroskopie , Lichtemission , Lichtintensität , Emission , Variation , A3-B5-Verbindung , Anregungskurve , Atomkraftmikroskopie , Dauer , Elektronenmikroskopie , Emissionsspektrum , Energiespektrum , Extrinsic-Halbleiter , Funktionswerkstoff , Galliumnitrid , Galliumverbindung , Gebrauchseigenschaft , Halbleitermaterial , Halbleiterverbindung , Haltbarkeit , Indiumnitrid , Indiumverbindung , Leuchtanregung , Materialeigenschaft , Metallverbindung , Mikroskopie , n-Halbleiter , Nichtmetallverbindung , Nitrid
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Datenquelle: