A 4 GHz thin-base lateral bipolar transistor fabricated on bonded SOI (Englisch)
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In:
IEICE Transactions on Electronics
;
E75-C
, 12
;
1453-1458
;
1992
-
ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:A 4 GHz thin-base lateral bipolar transistor fabricated on bonded SOI
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Weitere Titelangaben:Ein 4 GHZ Dünnbasis-Lateralbipolartransistor aus SOI-Verbindungen hergestellt
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Beteiligte:Higaki, N. ( Autor:in ) / Fukano, T. ( Autor:in ) / Fukuroda, A. ( Autor:in ) / Sugii, T. ( Autor:in ) / Arimoto, Y. ( Autor:in ) / Ito, T. ( Autor:in )
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Erschienen in:IEICE Transactions on Electronics ; E75-C, 12 ; 1453-1458
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1992
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Format / Umfang:6 Seiten, 8 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band E75-C, Ausgabe 12
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Mixed-signal IC (MSIC) for new SOI-based structureMatsutani, T. / Takaramoto, T. / Miura, T. / Harajiri, S. / Yamauchi, T. et al. | 1992
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