Self organization in InGaAs/AlGaAs quantum disk structures on GaAs (311)B substrates (Englisch)
- Neue Suche nach: Ogawa, T.
- Neue Suche nach: Akabori, M.
- Neue Suche nach: Motohisa, J.
- Neue Suche nach: Fukui, T.
- Neue Suche nach: Ogawa, T.
- Neue Suche nach: Akabori, M.
- Neue Suche nach: Motohisa, J.
- Neue Suche nach: Fukui, T.
In:
NPMS, New Phenomena in Mesoscopic Structures, International Symposium, 4
;
231-233
;
1999
-
ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
-
Titel:Self organization in InGaAs/AlGaAs quantum disk structures on GaAs (311)B substrates
-
Beteiligte:Ogawa, T. ( Autor:in ) / Akabori, M. ( Autor:in ) / Motohisa, J. ( Autor:in ) / Fukui, T. ( Autor:in )
-
Erschienen in:Microelectronic Engineering ; 47, 1-4 ; 231-233
-
Verlag:
-
Erscheinungsdatum:1999
-
Format / Umfang:3 Seiten, 4 Quellen
-
ISSN:
-
Coden:
-
DOI:
-
Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
-
Format:Print
-
Sprache:Englisch
-
Schlagwörter:Aluminiumverbindung , Galliumarsenid , Drei-Fünf-Verbindung , Indiumverbindung , metallorganische Gasphasenabscheidung , Oberflächenstruktur , Selbstorganisation , Aluminiumgalliumarsenid , Halbleiterwachstum , Halbleiterquantenpunkt , Gasphasenepitaxialwachstum , Wachstumstemperatur , Indiumgalliumarsenid , Selbstmontage
-
Datenquelle: