Temperaturmessung an Siliciumeinkristallen im Bereich 300-700 K mit Hilfe der Absorption im infraroten Spektralbereich Temperature control of single-crystal silicon in the range 300-700 K by infrared absorption (Russisch)
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In:
Teplofizika Vysokich Temperatur
;
29
, 1
;
182-184
;
1991
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Temperaturmessung an Siliciumeinkristallen im Bereich 300-700 K mit Hilfe der Absorption im infraroten Spektralbereich Temperature control of single-crystal silicon in the range 300-700 K by infrared absorption
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Weitere Titelangaben:Titel russisch
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Beteiligte:Magunov, A.N. ( Autor:in ) / Mudrov, E.V. ( Autor:in )
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Erschienen in:Teplofizika Vysokich Temperatur ; 29, 1 ; 182-184
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1991
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Format / Umfang:3 Seiten, 4 Bilder, 6 Quellen
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Russisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 29, Ausgabe 1
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Measurement of the relative heat capacity by the thermal waves methodSafonov, A.N. / Ivliev, A.D. et al. | 1991
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Temperaturmessung an Siliciumeinkristallen im Bereich 300-700 K mit Hilfe der Absorption im infraroten Spektralbereich Temperature control of single-crystal silicon in the range 300-700 K by infrared absorptionMagunov, A.N. / Mudrov, E.V. et al. | 1991
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Assessment of controlled heatpipes with vapor-gas-fillingKalandarisvili, A.G. / Ermilov, B.I. / Micheev, V.K. et al. | 1991