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Electronic properties of Si-doped Alx Ga1−xN with aluminum mole fractions above 80
Online Contents | 2016| -
Electronic properties of Si-doped AlxGa1-xGa1-xN with aluminum mole fractions above 80
Online Contents | 2016| -
Design, Epitaxie und Charakterisierung AlGaN-basierter Leuchtdioden mit Emissionswellenlängen unterhalb von 250 nm
Freier ZugriffDataCite | 2017| -
Highly conductive n-AlxGa1-xN layers with aluminum mole fractions above 80%
Online Contents | 2013| -
Influence of light absorption on the performance characteristics of UV LEDs with emission between 239 and 217 nm
Freier ZugriffDataCite | 2019| -
Influence of light absorption on the performance characteristics of UV LEDs with emission between 239 and 217 nm
British Library Online Contents | 2019| -
Electronic properties of Si-doped AlxN with aluminum mole fractions above 80%
American Institute of Physics | 2016| -
Verbundprojekt: UltraSens - "Photonische Plattformtechnologie zur ultrasensitiven und hochspezifischen biochemischen Sensorik auf Basis neuartiger UV-C-LEDs" : Teilvorhaben: Design, Wachstum und Charakterisierung von UV-C-LEDs : Projekt-Abschlussbericht : Projektlaufzeit: 01.05.2013 bis 31.12.2016
Freier ZugriffTIBKAT | 2017| -
Verbundprojekt: UltraSens - "Photonische Plattformtechnologie zur ultrasensitiven und hochspezifischen biochemischen Sensorik auf Basis neuartiger UV-C-LEDs" : Teilvorhaben: Design, Wachstum und Charakterisierung von UV-C-LEDs : Projekt-Abschlussbericht : Projektlaufzeit: 01.05.2013 bis 31.12.2016
TIBKAT | 2017| -
Anisotropic optical properties of semipolar AlGaN layers grown on m-plane sapphire
American Institute of Physics | 2015| -
Analysis of doping concentration and composition in wide bandgap AlGaN:Si by wavelength dispersive x-ray spectroscopy
Freier ZugriffDataCite | 2017| -
Ion-implanted Al0.6Ga0.4N deep-ultraviolet avalanche photodiodes
American Institute of Physics | 2023| -
Realizing crack-free high-aluminum-mole-fraction AlGaN on patterned GaN beyond the critical layer thickness
American Institute of Physics | 2022| -
Highly conductive n-AlxGa1−xN layers with aluminum mole fractions above 80%
American Institute of Physics | 2013| -
Milliwatt power 233 nm AlGaN-based deep UV-LEDs on sapphire substrates
American Institute of Physics | 2020|
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