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Microstructural evolution in H ion induced splitting of freestanding GaN
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2008| -
High epitaxial quality Y2O3 high-κ dielectric on vicinal Si(001) surfaces
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2002| -
Absorption of Frenkel Excitons in PTCDA Thin Films, in PTCDA/Alq3 Multilayers and in Co‐deposited Films
American Institute of Physics | 2007| -
Formation of nanovoids in high-dose hydrogen implanted GaN
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Bulk Inversion Asymmetry Spin‐splitting in L‐valley GaSb Quantum Wells
American Institute of Physics | 2005| -
A “smarter-cut” approach to low temperature silicon layer transfer
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1998| -
Dynamical masses for the nearest brown dwarf binary: ε Indi Ba, Bb
American Institute of Physics | 2009| -
Optical gain in monodispersed silicon nanocrystals
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004| -
Birefringence in optical waveguides made by silicon nanocrystal superlattices
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004|
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