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2.4 GHz CMOS self-biased power amplifier with embedded diode lineariser
Freier ZugriffIET | 2015|Schlagwörter: power transistor -
2.5 W, C-band, GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar power transistor
IET Digital Library Archive | 1989|Schlagwörter: power transistor -
4H-SiC Bipolar Junction Transistors with Graded Base Doping Profile
NationallizenzTrans Tech Publications | 2009|Schlagwörter: Power Transistor -
35 GHz GaAs power MESFETs and monolithic amplifiers
Tema Archiv | 1989|Schlagwörter: MICROWAVE POWER TRANSISTOR -
600V-IGBT3: trench field stop technology in 70 μm ultra thin wafer technology
IET Digital Library Archive | 2004|Schlagwörter: millimetre-wave power transistor technology, microwave power transistor technology -
1600 V, 5.1 mΩ●cm2 4H-SiC BJT with a High Current Gain of β=70
NationallizenzTrans Tech Publications | 2008|Schlagwörter: Power Transistor -
A 28V NMOS power switch and bootstrap driver with integrated PA gate driver
Elsevier | 2022|Schlagwörter: NMOS power Transistor -
A 30 A 30 V DMOS motor controller and driver
Tema Archiv | 1988|Schlagwörter: PULL-UP POWER TRANSISTOR -
A 312 ps response-time LDO with enhanced super source follower in 28 nm CMOS
Freier ZugriffIET | 2016|Schlagwörter: power transistor -
A 500V, Very High Current Gain (β=1517) 4H-SiC Bipolar Darlington Transistor
NationallizenzTrans Tech Publications | 2004|Schlagwörter: Power Transistor -
A capless NMOS low-dropout regulator with 15 ns transient response time
Elsevier | 2022|Schlagwörter: NMOS power transistor -
A Comparison of 1200 V Normally-OFF & Normally-on Vertical Trench SiC Power JFET Devices
NationallizenzTrans Tech Publications | 2011|Schlagwörter: Power Transistor -
A comprehensive literature review on slip power recovery drives
Elsevier | 2016|Schlagwörter: bipolar junction power transistor -
A High Voltage (1,750V) and High Current Gain (β=24.8) 4H-SiC Bipolar Junction Transistor using a Thin (12 μm) Drift layer
NationallizenzTrans Tech Publications | 2004|Schlagwörter: Power Transistor -
A High Voltage (1570V) 4H-SiC Bipolar Darlington with Current Gain β>640 and Tested in a Half-Bridge Inverter up to 20A at VBus=900V
NationallizenzTrans Tech Publications | 2004|Schlagwörter: Power Transistor -
A lateral structure for low-cost fabrication of COOLMOSTM
Elsevier | 2004|Schlagwörter: Power transistor -
All-SiC Inductively-Loaded Half-Bridge Inverter Characterization of 4H-SiC Power BJTs up to 400V/22 A
NationallizenzTrans Tech Publications | 2002|Schlagwörter: Power Transistor -
AlN passivation by plasma-enhanced atomic layer deposition for GaN-based power switches and power amplifiers
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2013|Schlagwörter: power transistor -
A Modified Poly-Harmonic Distortion Model Based on the Canonical Piecewise Linear Functions for GaN HEMTs
Freier ZugriffDOAJ | 2020|Schlagwörter: RF power transistor -
Amorphous-Si emitter heterojunction UHF power transistors for handy transmitter
Tema Archiv | 1990|Schlagwörter: BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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