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Metalorganic chemical vapor deposition growth of high-mobility AlGaN/AlN/GaN heterostructures on GaN templates and native GaN substrates
American Institute of Physics | 2015| -
Quantitative comparison between Z1∕2 center and carbon vacancy in 4H-SiC
American Institute of Physics | 2014| -
Radiation-induced defects in GaN bulk grown by halide vapor phase epitaxy
American Institute of Physics | 2014| -
Electronic properties of Si-doped AlxN with aluminum mole fractions above 80%
American Institute of Physics | 2016| -
Deep levels in as-grown and electron-irradiated n-type GaN studied by deep level transient spectroscopy and minority carrier transient spectroscopy
American Institute of Physics | 2016| -
Room-temperature mobility above 2200 cm2/V·s of two-dimensional electron gas in a sharp-interface AlGaN/GaN heterostructure
American Institute of Physics | 2015|
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