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Analysis of the hole transport through valence band states in heavy Al doped 4H-SiC by ion implantation
American Institute of Physics | 2013| -
High Temperature Variable Range Hopping in Heavy Al Implanted 4H-SiC
British Library Conference Proceedings | 2016| -
(Invited) Al^+ Ion Implanted 4H-SiC: Electrical Activation versus Annealing Time
British Library Conference Proceedings | 2019| -
Carrier Transport Mechanisms in Ion Implanted and Highly-Doped p-Type 4H-SiC(Al)
British Library Conference Proceedings | 2019| -
Thickness Effects in Tilted Sample Annular Darkfield Scanning Transmission EM
British Library Online Contents | 2009| -
About the Hole Transport Analysis in Heavy Doped p-Type 4H-SiC(Al)
British Library Conference Proceedings | 2015| -
(Invited) 4H-SiC Ion Implanted Bipolar Junctions: Relevance of the 1950°C Temperature for Post Implantation Annealing
British Library Conference Proceedings | 2016| -
Analysis of the hole transport through valence band states in heavy Al doped 4H-SiC by ion implantation (16 pages)
British Library Online Contents | 2013| -
HREM Characterization of Carbon Onions Produced by In Situ Electron Irradiation
British Library Conference Proceedings | 1997| -
HREM Characterization of Carbon Onions Produced by In Situ Electron Irradiation
British Library Online Contents | 1997| -
Diamond hexagonal silicon phase and {113} defects Energy calculations and new defect models
NationallizenzTaylor & Francis Verlag | 1993| -
Structural characterization of Ar+-ion-amorphized 6H-SiC wafers annealed at 1100 °C in N2 or wet O2 ambient
NationallizenzTaylor & Francis Verlag | 2000|
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