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Long-wavelength emission from self-organized InAs quantum dots on GaAs substrates
Tema Archiv | 2000| -
LASERS - Narrow vertical beam divergence laser diode based on longitudinal photonic band crystal waveguide
Online Contents | 2003|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
Semiconductor Lasers - High-Performance 640-nm-Range GaInP-AlGaInP Lasers Based on the Longitudinal Photonic Bandgap Crystal With Narrow Vertical Beam Divergence
Online Contents | 2005|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
LASERS - High power GaInP-AlGaInP visible lasers (l
Online Contents | 2005|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
Photonic Crystal Structures - High-Power Low-Beam Divergence Edge-Emitting Semiconductor Lasers with 1- and 2-D Photonic Bandgap Crystal Waveguide (Invited Paper)
Online Contents | 2008|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
PAPERS - Quantum Wells and Dots - Gain and Threshold Characteristics of Long Wavelength Lasers Based on InAs-GaAs Quantum Dots Formed by Activated Alloy Phase Separation
Online Contents | 2001|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
Quantum wires and quantum dots - Carrier relaxation mechanisms and Fermi versus non-Fermi carrier distribution in quantum dot arrays formed by activated alloy phase separation
Online Contents | 2000|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
LASERS, OPTICS, AND OPTOELECTRONICS - Optical and structural properties of InAs quantum dots in a GaAs matrix for a spectral range up to 1.7 mm
Online Contents | 1999|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
InGaAs-GaAs quantum dot lasers with ultrahigh characteristic temperature (T0=385K) grown by metal organic chemical vapour deposition
Online Contents | 1997|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
High-power continuous-wave operation of a InGaAs-AlGaAs quantum dot laser
Online Contents | 1998|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
LASERS - Single transverse mode operation of long wavelength (-1.3mm) InAs GaAs quantum dot laser
Online Contents | 1999|Beteiligte: Ledentsov, N.N. -
Semiconductors II: Surfaces, interfaces, microstructures, and related topics - Tuning quantum dot properties by activated phase separation of an InGa(AI)As alloy grown on InAs stressors
Online Contents | 2000|Beteiligte: Ledentsov, N.N.
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