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Deep Trap Characterization in GaN Using Thermal and Optical Admittance Spectroscopy
British Library Conference Proceedings | 1998|Beteiligte: Ponce, F. A. -
Detailed deep trap analysis in Mg-doped p-type GaN layers grown by MOVPE
British Library Online Contents | 2001| -
Deep-defect-induced quenching effects in semi-insulating GaN layers detected by photoelectrical spectroscopic techniques
British Library Online Contents | 2003| -
Suppressing of optical quenching of deep defect-to-band transitions in AlGaN and GaN/AlGaN heterostructures
British Library Online Contents | 2004| -
Correlation Between Deep Defects and Persistent Photoconductivity in Undoped GaN and AlGaN Layers
British Library Conference Proceedings | 2000| -
Detailed deep trap analysis in Mg-doped p-type GaN layers grown by MOVPE
British Library Conference Proceedings | 2001| -
Fermi Level Pinning at GaN-Interfaces: Correlation of Electrical Admittance and Transient Spectroscopy
British Library Conference Proceedings | 2000| -
Photoelectric properties of the 0.44 eV deep level-to-band transition in gallium nitride investigated by optical admittance spectroscopy
British Library Online Contents | 2000| -
Photoelectric properties of the 0.44 eV deep level-to-band transition in gallium nitride investigated by optical admittance spectroscopy
British Library Online Contents | 2000| -
Detailed deep trap analysis in Mg-doped p-type GaN layers grown by MOVPE
Online Contents | 2001|Beteiligte: Lisker, M., Scholz, F. -
Deep-defect-induced quenching effects in semi-insulating GaN layers detected by photoelectrical spectroscopic techniques
Online Contents | 2003|Beteiligte: Lisker, M., Scholz, F. -
Suppressing of optical quenching of deep defect-to-band transitions in AlGaN and GaN-AlGaN heterostructures
Online Contents | 2004|Beteiligte: Lisker, M., Scholz, F.
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