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An improved semi-classical Monte-Carlo approach for nano-scale MOSFET simulation
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Reproducing capacitive cyclic voltammetric curves by simulation: When are simplified geometries appropriate?
Freier ZugriffBASE | 2022|Beteiligte: Palestri, P -
Theory of the motion at the band crossing points in bulk semiconductor crystals and in inversion layers (11 pages)
British Library Online Contents | 2009| -
LETTERS - Silicon Alloys and Thin Film - Monte Carlo Simulation of Impact Ionization in SiGe HBTs
Online Contents | 2001|
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