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AlGaN/GaN-heterostructures on (111) 3C-SiC/Si pseudo substrates for high frequency applications
Online Contents | 2011|Beteiligte: Jatal, W., Pezoldt, J. -
High-Frequency Performance of GaN High-Electron Mobility Transistors on 3C-SiC/Si Substrates With Au-Free Ohmic Contacts
British Library Online Contents | 2015| -
AlGaN/GaN Based HEMTs on SiC/Si-Substrates: Influences on High Frequency Performance
British Library Online Contents | 2013| -
AlGaN/GaN Based HEMTs on SiC/Si-Substrates: Influences on High Frequency Performance
British Library Conference Proceedings | 2013| -
Side Gate Graphene and AlGaN/GaN Unipolar Nanoelectronic Devices
British Library Conference Proceedings | 2011| -
Structure and Lattice Location of Ge Implanted 4H-SiC
British Library Conference Proceedings | 2009| -
Vertical design of cubic GaN-based high electron mobility transistors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
2H-AlGaN/GaN HEMTs on 3C-SiC(111)/Si(111) Substrates
British Library Conference Proceedings | 2010|Beteiligte: Bauer, Anton J. -
AlGaN/GaN-heterostructures on (111) 3C-SiC/Si pseudo substrates for high frequency applications
British Library Online Contents | 2011| -
Vertical design of cubic GaN-based high electron mobility transistors (8 pages)
British Library Online Contents | 2011| -
Waveguide monitors-a new type of beam position monitors for the TTF FEL
British Library Online Contents | 2004| -
Vertical design of cubic GaN-based high electron mobility transistors
Online Contents | 2011|Beteiligte: Tonisch, K., Jatal, W., Pezoldt, J. -
Detailed characterization of electron sources yielding first demonstration of European x-ray free-electron laser beam quality
Freier ZugriffDataCite | 2010|
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