Verbundvorhaben: Prozess- und Anlagenentwicklung für epitaktisch prozessierte Wafer, Kurzbezeichnung: EpiPower : Abschlussbericht zum BMU-geförderten Projekt : Teilvorhaben der SINGULUS TECHNOLOGIES AG: Entwicklung von Hochdurchsatz inline-Anlagen für anodisch geätzte poröse Siliziumschichten : Projektlaufzeit: 01.11.2016 bis 31.10.2016 (kostenneutral verlängert bis 31.12.2018) (German)
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2019
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Title:Verbundvorhaben: Prozess- und Anlagenentwicklung für epitaktisch prozessierte Wafer, Kurzbezeichnung: EpiPower : Abschlussbericht zum BMU-geförderten Projekt : Teilvorhaben der SINGULUS TECHNOLOGIES AG: Entwicklung von Hochdurchsatz inline-Anlagen für anodisch geätzte poröse Siliziumschichten : Projektlaufzeit: 01.11.2016 bis 31.10.2016 (kostenneutral verlängert bis 31.12.2018)
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Additional title:Prozess- und Anlagenentwicklung für epitaktisch prozessierte Wafer
EpiPower
ENtwicklung von Hochdurchsatz inline-Anlagen für anodisch geätzte poröse Siliziumschichten -
Contributors:Mandlmeier, Benjamin ( author ) / Singulus Technologies AG ( issuing body )
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Publisher:
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Place of publication:Fürstenfeldbruck
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Publication date:2019
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Size:33 Blätter
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Remarks:Illustrationen, Diagramme
Förderkennzeichen BMWi 0324135C. - Verbund-Nummer 01174995
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden -
Type of media:Report
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Type of material:Print
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Language:German
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Contract number:0324135C, 01174995
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Source: