A cold-source Schottky transistor and a preparation process therefor. The cold-source Schottky transistor comprises a substrate (101), a source region, a drain region (4), a channel region (3), a source electrode, a drain electrode and a gate electrode, wherein the source region is arranged on the substrate (101), the source region comprises a first source region (1) and a metal region (2) connected to the first source region (1), and the first source region (1) is a heavily doped region; the drain region (4) is arranged on the substrate (101), the drain region (4) is a heavily doped region, and the doping type of the drain region (4) is opposite to that of the first source region (1); the channel region (3) is arranged on the substrate (101), the channel region (3) is located between the metal region (2) and the drain region (4), and a gate electrode dielectric (5) is arranged on the upper side and/or the lower side of the channel region (3); the source electrode is arranged on the source region; the drain electrode is arranged on the drain region (4); and the gate electrode is arranged on the gate electrode dielectric (5).
La présente invention concerne un transistor Schottky à source froide et son procédé de préparation. Le transistor Schottky à source froide comprend un substrat (101), une région de source, une région de drain (4), une région de canal (3), une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille, la région de source étant disposée sur le substrat (101), la région de source comprenant une première région de source (1) et une région métallique (2) connectée à la première région de source (1), et la première région de source (1) étant une région fortement dopée ; la région de drain (4) est disposée sur le substrat (101), la région de drain (4) est une région fortement dopée, et le type de dopage de la région de drain (4) est opposé à celui de la première région de source (1) ; la région de canal (3) est disposée sur le substrat (101), la région de canal (3) est située entre la région métallique (2) et la région de drain (4), et un diélectrique d'électrode de grille (5) est disposé sur le côté supérieur et/ou le côté inférieur de la région de canal (3) ; l'électrode de source est disposée sur la région de source ; l'électrode de drain est disposée sur la région de drain (4) ; et l'électrode de grille est disposée sur le diélectrique d'électrode de grille (5).
一种冷源肖特基晶体管及其制备工艺,其中,冷源肖特基晶体管包括衬底(101)、源区、漏区(4)、沟道区(3)、源极、漏极和栅极;源区设在衬底(101)上,源区包括第一源区(1)和与第一源区(1)相连接的金属区(2),第一源区(1)为重掺杂区;漏区(4)设在衬底(101)上,漏区(4)为重掺杂区,漏区(4)与第一源区(1)的掺杂类型相反;沟道区(3)设在衬底(101)上,沟道区(3)位于金属区(2)和漏区(4)之间,沟道区(3)的上侧和/或下侧设置有栅极介质(5);源极设在源区上;漏极设在漏区(4)上;栅极设在栅极介质(5)上。