A semiconductor device and a manufacturing method therefor, and an electronic device. The semiconductor device comprises: a first chip (1000) and a second chip (2000) which are combined together in a stacked manner and electrically connected. The first chip (1000) comprises: a first substrate (100); and a plurality of memory cell arrays (200) extending in a first direction perpendicular to the first substrate (100), each memory cell array (200) comprising a plurality of memory cells (1) stacked on one side of the first substrate (100) in the first direction, different memory cell arrays (200) being arranged on the first substrate (100) in a second direction and a third direction to form an array, and a plane intersected and formed by the second direction and the third direction being parallel to the first substrate (100). Each memory cell (1) comprises a transistor (10) and a capacitor (20) which are sequentially provided in the second direction; the transistor (10) comprises a semiconductor layer (11) extending as a strip-shaped structure in the second direction and a gate (12), the side wall of the semiconductor layer (11) sequentially comprises a source region (111), a channel region (112), and a drain region (113), and the gate (12) surrounds the side wall of the channel region; the capacitor (20) is provided on the side wall of the drain region (113). The second chip (2000) comprises: a second substrate (500) and a peripheral circuit (600) provided on the second substrate (500).
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication associé, et un dispositif électronique. Le dispositif à semi-conducteur comprend : une première puce (1000) et une seconde puce (2000) qui sont combinées ensemble de manière empilée et connectées électriquement. La première puce (1000) comprend : un premier substrat (100); et une pluralité de réseaux de cellules de mémoire (200) s'étendant dans une première direction perpendiculaire au premier substrat (100), chaque réseau de cellules de mémoire (200) comprenant une pluralité de cellules de mémoire (1) empilées sur un côté du premier substrat (100) dans la première direction, différents réseaux de cellules de mémoire (200) étant agencés sur le premier substrat (100) dans une deuxième direction et une troisième direction pour former un réseau, et un plan croisant et formé par la deuxième direction et la troisième direction étant parallèle au premier substrat (100). Chaque cellule de mémoire (1) comprend un transistor (10) et un condensateur (20) qui sont disposés successivement dans la seconde direction; le transistor (10) comprend une couche semi-conductrice (11) s'étendant sous la forme d'une structure en forme de bande dans la seconde direction et une grille (12), la paroi latérale de la couche semi-conductrice (11) comprend successivement une région de source (111), une région de canal (112) et une région de drain (113), et la grille (12) entoure la paroi latérale de la région de canal; le condensateur (20) est disposé sur la paroi latérale de la région de drain (113). La seconde puce (2000) comprend : un second substrat (500) et un circuit périphérique (600) disposé sur le second substrat (500).
一种半导体器件及其制造方法、电子设备,半导体器件包括:层叠结合在一起并且电连接的第一芯片(1000)和第二芯片(2000);第一芯片(1000)包括:第一衬底(100);沿垂直于第一衬底(100)的第一方向延伸的多个存储单元列(200),每个存储单元列(200)均包括沿第一方向堆叠设置在第一衬底(100)一侧的多个存储单元(1),不同的存储单元列(200)在第一衬底(100)上沿第二方向和第三方向排列形成阵列,第二方向和第三方向交叉并且构成的平面与第一衬底(100)平行;存储单元(1)包括沿着第二方向依次设置的晶体管(10)和电容器(20),晶体管(10)包括沿第二方向延伸为条状结构的半导体层(11)和栅极(12),半导体层(11)的侧壁依次包括源极区(111)、沟道区(112)和漏极区(113),栅极(12)环绕在沟道区的侧壁;电容器(20)设置在漏极区(113)的侧壁上;第二芯片(2000)包括:第二衬底(500)和设置在第二衬底(500)上的外围电路(600)。