The present disclosure provides an electrostatic discharge protection device. The electrostatic discharge protection device comprises a substrate and a gate structure located on the substrate, wherein a first well region and a second well region connected to each other are formed in the substrate, the first well region has a first conductivity type, and the second well region has a second conductivity type; the gate structure spans from above part of the first well region to above part of the second well region, a first doped region and a second doped region located on one side of the gate structure are formed at the top of the first well region, the first doped region has a first conductivity type, and the second doped region has a second conductivity type; a third doped region and a fourth doped region located on the other side of the gate structure are formed at the top of the second well region, the third doped region has a first conductivity type, and the fourth doped region has a second conductivity type. In this way, a first parasitic triode and a second parasitic triode for discharging static electricity can be formed in the electrostatic discharge protection device, which facilitates improvement of the electrostatic discharge capability of a circuit.
La présente invention concerne un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques. Le dispositif de protection contre les décharges électrostatiques comprend un substrat et une structure de grille située sur le substrat. Une première région de puits et une seconde région de puits connectées l'une à l'autre sont formées dans le substrat, la première région de puits présente un premier type de conductivité et la seconde région de puits présente un second type de conductivité ; la structure de grille s'étend de la partie supérieure de la première région de puits à la partie supérieure de la seconde région de puits, une première région dopée et une deuxième région dopée situées d'un côté de la structure de grille sont formées au sommet de la première région de puits, la première région dopée présente un premier type de conductivité et la deuxième région dopée présente un second type de conductivité ; une troisième région dopée et une quatrième région dopée situées de l'autre côté de la structure de grille sont formées au sommet de la seconde région de puits, la troisième région dopée présente un premier type de conductivité et la quatrième région dopée présente un second type de conductivité. De cette manière, une première triode parasite et une seconde triode parasite pour la décharge de l'électricité statique peuvent être formées dans le dispositif de protection contre les décharges électrostatiques, ce qui facilite l'amélioration de la capacité de décharge électrostatique d'un circuit.
本公开提供一种静电放电保护器件。所述静电放电保护器件包括基底和位于基底上的栅极结构,基底中形成有相连接的第一阱区和第二阱区,第一阱区具有第一导电类型,第二阱区具有第二导电类型,栅极结构从部分第一阱区的上方跨越到部分第二阱区的上方,第一阱区的顶部形成有位于栅极结构一侧的第一掺杂区和第二掺杂区,第一掺杂区具有第一导电类型,第二掺杂区具有第二导电类型,第二阱区的顶部形成有位于栅极结构另一侧的第三掺杂区和第四掺杂区,第三掺杂区具有第一导电类型,第四掺杂区具有第二导电类型。如此静电放电保护器件内可以形成用于泄放静电的第一寄生三极管和第二寄生三极管,有利于提升电路的静电泄放能力。