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An Einkristallen mit (111)-Oberflaechen wurden die Spektren der Roentgenemission und der photoelektrischen Emission aufgenommen. Letztere wurde sowohl durch ultraviolettes Licht als auch durch Roentgenstrahlung angeregt. Die Spektren werden untereinander und mit dem Spektrum der nach einer Potentialmethode berechneten Zustandsdichte verglichen. Der Verlauf der Zustandsdichte wird am besten durch die durch Roentgenstrahlung angeregten Photoemissionsspektren wiedergegeben. Betraechtliche Unterschiede existieren zwischen den durch Roentgen- bzw. UV-Strahlung angeregten Photoemissionsspektren. Sie werden dem Einfluss der Zustandsdichte, der Uebergangswahrscheinlichkeit oder den verschiedenen tiefen Niveaus, von denen die Photoelektronen stammen, zugeschrieben. (Orig. in Russ.)
Comparison of investigations of the energy-band structure of Ga1As1 and Ga1P1 by photoelectron and x-ray spectroscopy methods
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Vergleich der Untersuchungen der Energiebandstruktur von Ga1As1 und Ga1P1, die mit den Methoden der photoelektrischen Emission bzw. der Roentgenspektroskopie durchgefuehrt wurden