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Entgegen der einfachen Theorie steigt die Aktivierungsenergie der Leitfaehigkeit nicht monoton mit der Stoerstellenkonzentration an, sondern durchlaeuft ein Maximum. Zur Deutung dieses Verlaufs wurden zwei Mechanismen vorgeschlagen, die auf einer Delokalisierung oberhalb des Maximums bzw. auf einer Korrelation der Vielfach-Elektronen-Hoppingprozesse basieren. Hier werden Argumente angefuehrt, die fuer ein Vorherrschen des zweiten Mechanismus sprechen. Der Nachweis basiert auf bekannten Messergebnissen der Konzentrations- und Magnetfeldabhaengigkeit des Widerstandes von n- und p-leitendem Germanium. Insbesondere spricht das Verhalten des Vorfaktors der Exponentialfunktion, die den Zusammenhang zwischen Widerstand und Stoerstellenkonzentration bzw. zwischen Widerstand und Magnetfeld beschreibt, fuer das zweite Modell.