Please choose your delivery country and your customer group
Die metallische Leitung der organischen Metalle beruht auf einer Ueberlappung der pi-Elektronen entlang der Stapel ebener Molekuele. Bei tiefen Temperaturen durchlaufen derartige Verbindungen auf grund ihrer eindimensionalen Struktur einen Peierlsuebergang zur Isolatorphase. Verbindungen, die auch bei tiefen Temperaturen eine hohe Leitfaehigkeit besitzen, muessen die Voraussetzung einer staerkeren Wechselwirkung zwischen den Stapeln erfuellen. Im Hinblick hierauf wurden Messungen der Druck- und Temperaturabhaengigkeit der Leitfaehigkeit an HMTSF-TNAP durchgefuehrt. Durch den Druck laesst sich eine Erhoehung der Leitfaehigkeit bei tiefen Temperaturen erreichen. Die Uebergangstemperatur faellt allerdings nur mit einer Rate von 0,7 K/kbar mit dem Druck ab. Vergleiche mit an HMTSF-TCNQ gewonnenen Ergebnissen werden angestellt.