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Die Arbeit befasst sich mit der Wechselstromleitfaehigkeit amorpher Halbleiter, die auf gleichzeitigen Hoppingprozessen von zwei Elektronen zwischen entgegengesetzt geladenen Defektzentren, die durch eine Potentialbarriere getrennt sind, basiert. Speziell wird hier angenommen, dass sich jeweils zwei entgegengesetzt geladene Zentren in einem geringen Abstand voneinander befinden (5 bis 10 Ae). Es wird gezeigt, dass ein Modell mit derartig geordneten Defektzentren gegenueber einem Modell mit statistisch verteilten Defektzentren ein anderes Leitungsverhalten aufweist. Es ist bekannt, dass sich Chalkogenidglaeser gleicher Zusammensetzung aufgrund unterschiedlicher Herstellungsbedingungen bezueglich ihrer Leitfaehigkeit in zwei Klassen einteilen lassen. Dies wird der Abhaengigkeit der Defektstruktur von den Herstellungsbedingungen zugeschrieben.