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Mit organometallischer (Ga(CH3)3) Dampfphasenepitaxie (OMCVD) wurde GaAs auf GaAs-Substraten hergestellt; durch Variation der Wachstumsbedingungen (relativer As- bzw. Ga-Dampfdruck) kann die Dichte verschiedener Traps kontrolliert werden. Zur Charakterisierung der Traps werden transiente Kapazitaets- und C-V-Techniken verwendet. Das beobachtete 0,82 eV-Trapniveau entspricht dem bei VPE-GaAs beobachtetem mit gleichem Einfangsquerschnitt und Emissionseigenschaft. Vermutlich besteht ein Zusammenhang mit einer Ga-Leerstelle. Das beobachtete Loch-Trapniveau bei 0,35 eV wird mit Fe-Verunreinigungen, das bei 0,31 eV mit Cu-Kontamination in Verbindung gebracht. Das 0,34 eV-Elektronentrapniveau konnte noch nicht mit einem speziellen Defekt korreliert werden.