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EUV-Lithographie ist die einzige heute sichtbare Methode, um eine weitere Skalierung unter 32nm Strukturgrößen zu realisieren. Das Ziel des Projektes war es, das optische System für das Alpha-Tool eines EUV-Lithographiesystems zu entwickeln. Das Projekt wurde in folgenden Arbeitspaketen bearbeitet, über deren Ergebnisse im Detail berichtet wird: optische Design, mechanisches Design mit Aktuatorik, optische Fertigungstechnik, Beschichtungstechnologie für EUV-Multilayer, Systemmesstechnik, Montage- und Justagetechnologie, Vermeidung von Kontamination und Reinigungsverfahren. Bei den Arbeiten zur optischen Messtechnik und zur Systemmesstechnik konnte man auf die grundsätzliche Methoden, wie sie in der optischen Lithographie bei Fa. Carl Zeiss SMT eingesetzt werden, zugreifen. Um Kontamination durch Wassermoleküle und Kohlenwasserstoffe zu vermeiden, wurden drei Richtungen verfolgt: Kontrolle der verwendeten Materialien und der Restgase im Vakuum, Schutzschichten (Capping-Layer) auf den reflektierenden Multilayern, in-situ Reinigungsverfahren um die Kohlenstoffschichten wieder abzutragen. Bestrahlungsexperimente wurde hauptsächlich an Sychrotron BESSYII durchgeführt. Das Ziel des Alpha-Tool Programms, eine Labensdauer der Spiegel des Projektionssystems von 1000h, wurde Anfang 2004 durch eine definierte Einstellung des Restgases im Vakuum und durch Verwendung geeigneter Capping-Layer erreicht. Da für ein Produktionsgerät eine Lebensdauer des optischen Systems von 30000h erwartet wird, wurden die Arbeiten zur Kontaminationsvermeidung ab Junuar 2004 im Rahmen des Projektes 'More Moore' weitergeführt. Abschließend wird im Bericht an die Risiken bei der Einführung der EUV-Lithographie eingegangen.