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Im Teilvorhaben der TU Berlin des GRACIS-Projektes wurden chemische Gradienten in Cu(In,Ga)Se2-Dünnschichten sowie ausgedehnte strukturelle Defekte, hier speziell Versetzungen, mittels korrelativer Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Dabei wurde aufgezeigt, dass der Ga-Verlauf in diesen Dünnschichten senkrecht zum Substrat an unterschiedlichen Positionen annähernd gleich verläuft, aber von der Rauigkeit der Cu(In,Ga)Se2-Dünnschicht bestimmt ist. Eine Untersuchung mehrerer Proben aus einer Abbruchserie von Cu(In,Ga)Se2-Wachstumsprozessen ergab, dass die Versetzungsdichte in der Cu-reichen Stufe des Prozesses sehr viel niedriger ist als in der Cu-armen Stufe. An Versetzungen wurden eine deutliche Änderung der Zusammensetzung festgestellt, wobei es keine starken Anzeichen von hohen Ladungsdichten gibt. Ein direkter Zusammenhang zwischen Ga-Gradienten und besonders hohen Versetzungsdichten in Cu(In,Ga)Se2-Dünnschichten wurde mittels korrelativer Transmissionselektronenmikroskopie belegt. Elementverteilungsbilder an Cu(In,Ga)Se2/Zn(O,S) geben Hinweise auf eine 2-3 nm dünne ZnS-Schicht zwischen Cu(In,Ga)Se2 und Zn(O,S), welche sich bei der chemischen Badabscheidung von Zn(O,S) bildet.