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In dieser Arbeit wird eine CCD-ausgelesene Sensorzeile entwickelt, die für Strahlung im sichtbaren und im nahen UV-Bereich (200 nm bis 400 nm) sensitiv ist. Die grundlegende Idee bei der neuen Sensorzeile besteht darin, die positiven Ladungen an der Grenzfläche Silicium/Siliciumdioxid auszunutzen, um eine Bandabsenkung an der Oberfläche des Siliciums zu erzielen. Nach Erläuterung zu den Grundlagen von MOS-Strukturen und ladungsgekoppelten Bauelementen werden die Reflexionsverluste, die Tiefe und der Betrag der Bandverbiegung und der zu erwartende Dunkelstrom der Sensorelemente berechnet. Die an den realisierten Bauelementen durchgeführten Messungen zeigen eine gute Übereinstimmung zwischen Theorie und Experiment. Begleitend zur Sensorentwicklung werden ferner technologiecharakterisierende Messungen durchgeführt, die Aussagen über die technologische Qualität ermöglichen. Als Beispiele für Anwendungen werden u.a. Gaskonszentrationsmessungen und Strahlprofilmessungen an Excimerlasern genannt.