LP-MOCVD growth and characterization of undoped and modulation doped GaInAsP/InP and GaInAs/InP multi quantum wells (English)
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In:
Fourth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 16-20 May 1988, Hakone, Japan
;
382-388
;
1988
- Article (Journal) / Print
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Title:LP-MOCVD growth and characterization of undoped and modulation doped GaInAsP/InP and GaInAs/InP multi quantum wells
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Additional title:Eigenschaften von undotierten und modulationsdotierten Mehrfachquantenmulden aus GaInAsP/InP und GaInAs/InP, die durch metallorganische Niederdruckgasphasenabscheidung hergestellt wurden
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Contributors:Grutzmacher, D. ( author ) / Meyer, R. ( author ) / Zachau, M. ( author ) / Helgesen, P. ( author ) / Zrenner, A. ( author ) / Wolter, K. ( author ) / Jurgensen, H. ( author ) / Koch, F. ( author ) / Balk, P. ( author )
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Published in:Fourth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 16-20 May 1988, Hakone, Japan ; 382-388Journal of Crystal Growth ; 93, 1-4 ; 382-388
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Publisher:
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Publication date:1988
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Size:7 Seiten, 19 Quellen
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DOI:
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Type of media:Article (Journal)
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Type of material:Print
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Language:English
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Keywords:SCHNITTSTELLE , WACHSTUM , DRUCK (MECHANIK) , GASPHASENABSCHEIDUNG , LEITUNGSBAND , GALLIUMARSENID , HALL-EFFEKT , PHOTOLEITFAEHIGKEIT , PHOTOLUMINESZENZ , DOTIERUNGSPROFIL , METALLORGANISCHE GASPHASENABSCHEIDUNG , INDIUMPHOSPHID , GRENZFLAECHENZUSTAND , STOFF (WERKSTOFF) , FESTSTOFF , MAGNETORESISTENZ , KRISTALLZUECHTUNG , UEBERGITTER , CVD-BESCHICHTUNG , INDIUMVERBINDUNG , HALBLEITERWERKSTOFF , QUANTENTOPF , RAUM , DREI-FUENF-VERBINDUNG , NIEDERDRUCKGASPHASENABSCHEIDUNG , EPITAXIALSCHICHT , KRISTALLWACHSTUM , HALBLEITERUEBERGITTER
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