Negative conductance and sequential tunneling in amorphous silicon-silicon carbide double barrier devices (English)
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In:
Journal of Non-Crystalline Solids
;
110
, 2-3
;
175-178
;
1989
- Article (Journal) / Print
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Title:Negative conductance and sequential tunneling in amorphous silicon-silicon carbide double barrier devices
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Additional title:Negative Leitfaehigkeit und sequentielles Tunneln in Bauelementen mit einer Doppelbarriere aus amorphem Silicium/Siliciumcarbid
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Contributors:
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Published in:Journal of Non-Crystalline Solids ; 110, 2-3 ; 175-178
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Publisher:
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Publication date:1989
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Size:4 Seiten, 15 Quellen
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DOI:
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Type of media:Article (Journal)
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Type of material:Print
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Language:English
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Keywords:ELEMENTHALBLEITER , SILICIUMVERBINDUNG , AMORPHES SILICIUM , ELEKTRISCHE LEITFAEHIGKEIT , TUNNELEFFEKT , ELEKTRONISCHES BAUELEMENT , SILICIUMCARBID , TEMPERATURABHAENGIGKEIT , BARRIERE , AMORPHER HALBLEITER , WASSERSTOFF , NEGATIVER WIDERSTAND , UEBERGANG (HALBLEITER) , HALBLEITERWERKSTOFF , SILICIUM , QUANTENTOPF
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Source: