The present disclosure provides a semiconductor light-emitting device and a preparation method for the semiconductor light-emitting device. The semiconductor light-emitting device has a red sub-pixel area, a green sub-pixel area and a blue sub-pixel area, including: a blue epitaxial layer epitaxially grown on the substrate, and a green epitaxial layer and a red epitaxial layer which continue to grow in the green sub-pixel area and the red sub-pixel area on the blue epitaxial layer, wherein the green epitaxial layer and the red epitaxial layer are distributed on the blue epitaxial layer at intervals. According to the semiconductor light-emitting device, independent light-emitting area structures are stacked on a substrate by means of epitaxial growth, blue light emitted by the blue epitaxial layer is not only emitted from the blue sub-pixel area, but also projected to the red epitaxial layer and the green epitaxial layer, such that the red epitaxial layer and the green epitaxial layer can not only be electroluminescent but also accept the blue light projected from the lower layer for photoluminescence, thereby greatly increasing the luminous efficiency and brightness.
La présente divulgation concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur et un procédé de préparation du dispositif électroluminescent à semi-conducteur. Le dispositif électroluminescent à semi-conducteur a une zone de sous-pixel rouge, une zone de sous-pixel vert et une zone de sous-pixel bleu, comprenant : une couche épitaxiale bleue à croissance épitaxiale sur le substrat, et une couche épitaxiale verte et une couche épitaxiale rouge qui continuent à croître dans la zone de sous-pixel vert et la zone de sous-pixel rouge sur la couche épitaxiale bleue, la couche épitaxiale verte et la couche épitaxiale rouge étant réparties sur la couche épitaxiale bleue à intervalles. Selon le dispositif électroluminescent à semi-conducteur, des structures de zone électroluminescente indépendantes sont empilées sur un substrat au moyen d'une croissance épitaxiale, une lumière bleue émise par la couche épitaxiale bleue n'est pas uniquement émise à partir de la zone de sous-pixel bleu, mais également projetée sur la couche épitaxiale rouge et la couche épitaxiale verte, de telle sorte que la couche épitaxiale rouge et la couche épitaxiale verte puissent non seulement être électroluminescentes mais accepter également la lumière bleue projetée à partir de la couche inférieure pour une photoluminescence, ce qui permet d'augmenter considérablement l'efficacité lumineuse et la luminosité.
本公开提供一种半导体发光器件及半导体发光器件的制备方法。该半导体发光器件,具有红光子像素区、绿光子像素区以及蓝光子像素区,包括:衬底在衬底上外延生长的蓝光外延层、以及在蓝光外延层上的绿光子像素区和红光子像素区继续生长的绿光外延层和红光外延层,所述的绿光外延层和所述红光外延层间隔地分布在所述蓝光外延层上。半导体发光器件将相互独立的发光区结构,通过外延生长叠合在一个衬底上,蓝光外延层发射的蓝光,不仅从蓝光子像素区发出,而且投射到上层的红光外延层和绿光外延层,因此上层的红光外延层和绿光外延层不仅可以电致发光而且可以接受下层投射来的蓝光进行光致发光,大大增加了发光效率和亮度。