Provided in the present application are a material structure and a manufacturing method therefor. The material structure comprises a substrate and a mask layer located on the substrate, wherein the mask layer is provided with a window that exposes the substrate, the window comprises an opening end, and the area of an orthographic projection of the opening end on the plane where the substrate is located is smaller than the area of an orthographic projection of the window on the plane where the substrate is located. According to the embodiments of the present invention, a substrate provided with a mask layer is used as a substrate for epitaxially growing a GaN-based material, an opening in the mask layer is provided with an inward-retracting side wall in a direction from the substrate to an opening end, and by means of the inward-retracting side wall of the window, the dislocation of an epitaxially grown GaN-based material is terminated at the side wall of the window, and cannot continue extending with the growth of the GaN-based material. Therefore, the substrate provided with the mask layer can reduce the dislocation density of the GaN-based material.
Sont prévus dans la présente demande une structure de matériau et son procédé de fabrication. La structure de matériau comprend un substrat et une couche de masque située sur le substrat, la couche de masque étant pourvue d'une fenêtre qui expose le substrat, la fenêtre comprenant une extrémité d'ouverture, et la superficie d'une projection orthographique de l'extrémité d'ouverture sur le plan où est situé le substrat est plus petite que la superficie d'une projection orthographique de la fenêtre sur le plan où est situé le substrat. Selon les modes de réalisation de la présente invention, un substrat pourvu d'une couche de masque est utilisé en tant que substrat pour la croissance épitaxiale d'un matériau à base de GaN, une ouverture dans la couche de masque est pourvue d'une paroi latérale à rétraction vers l'intérieur dans une direction allant du substrat à une extrémité d'ouverture, et au moyen de la paroi latérale à rétraction vers l'intérieur de la fenêtre, la dislocation d'un matériau à base de GaN à croissance épitaxiale est terminée au niveau de la paroi latérale de la fenêtre, et ne peut pas continuer à s'étendre avec la croissance du matériau à base de GaN. Par conséquent, le substrat pourvu de la couche de masque peut réduire la densité de dislocation du matériau à base de GaN.
本申请提供了一种材料结构及其制作方法,材料结构包括:基底与位于基底上的掩膜层;掩膜层具有暴露基底的窗口,窗口包括开口端,开口端在基底所在平面上的正投影的面积小于窗口在基底所在平面上的正投影的面积。根据本发明的实施例,使用具有掩膜层的基底作为外延生长GaN基材料的基底,掩膜层中的开口在自基底朝向开口端方向上具有内收的侧壁,利用窗口的内收侧壁,使得外延生长的GaN基材料的位错终止在窗口的侧壁,无法继续随GaN基材料的生长而延伸。因而,具有上述掩膜层的基底可以降低GaN基材料的位错密度。