A memory and a manufacturing method therefor. The manufacturing method comprises: etching a semiconductor substrate (10) to form a plurality of first trenches (20) extending in a column direction, wherein an upper portion of the semiconductor substrate (10) is separated into a plurality of semiconductor walls 10'; etching the semiconductor substrate (10), which is exposed from below the first trenches (20), so that the bottoms of the first trenches (20) extend into the semiconductor substrate (10), and forming, in each of two sides of the bottom of each first trench (20) that has extended, a groove (40) extending in the column direction into a position below one semiconductor wall 10'; forming metal wires in the groove (40), wherein two metal wires below one semiconductor wall 10' form a bit line (60); and etching an upper portion of the semiconductor wall 10' to form a plurality of second trenches (70), wherein the second trenches (70) separate the semiconductor wall 10' into a plurality of semiconductor pillars (80), and the bottoms of the semiconductor pillars (80) are connected to the bit line (60).
L'invention concerne une mémoire et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication consiste à : graver un substrat semi-conducteur (10) pour former une pluralité de premières tranchées (20) s'étendant dans une direction de colonne, une partie supérieure du substrat semi-conducteur (10) étant séparée en une pluralité de parois semi-conductrices 10' ; graver le substrat semi-conducteur (10), qui est exposé depuis le dessous des premières tranchées (20), de telle sorte que les fonds des premières tranchées (20) s'étendent dans le substrat semi-conducteur (10), et former, dans chacun des deux côtés du fond de chaque première tranchée (20) qui s'est étendu, une rainure (40) s'étendant dans la direction de colonne dans une position inférieure à une paroi semi-conductrice 10' ; former des fils métalliques dans la rainure (40), deux fils métalliques au-dessous d'une paroi semi-conductrice 10' formant une ligne de bits (60) ; et graver une partie supérieure de la paroi semi-conductrice 10' pour former une pluralité de secondes tranchées (70), les secondes tranchées (70) séparant la paroi semi-conductrice 10' en une pluralité de piliers semi-conducteurs (80), et les parties inférieures des piliers semi-conducteurs (80) étant connectées à la ligne de bits (60).
一种存储器及其制造方法,制造方法包括:在半导体衬底(10)上刻蚀出多个沿列方向延伸的第一沟槽(20),半导体衬底(10)的上部被间隔为多个半导体墙10';对第一沟槽(20)下方露出的半导体衬底(10)进行刻蚀,使第一沟槽(20)底部延伸到半导体衬底(10)中,并且在延伸后的第一沟槽(20)底部的两侧分别形成一个沿列方向延伸并且延伸到半导体墙10'下方的凹槽(40);在凹槽(40)中形成金属线,一个半导体墙10'下方的两条金属线构成一条位线(60),在半导体墙10'上部刻蚀形成多个第二沟槽(70),第二沟槽(70)将半导体墙10'间隔为多个半导体柱(80),将半导体柱(80)的底部与位线(60)连接。