Provided are a preparation method for a semiconductor structure, a semiconductor structure, and an electronic device, relating to the technical field of semiconductor manufacturing, and being used for solving the technical problems of poor performance uniformity and low yield of semiconductor structures. The preparation method for the semiconductor structure comprises: forming a heavily doped monocrystalline silicon layer on a substrate by means of epitaxial growth; forming a cavity on a first bottom silicon layer; after inverting the substrate, bonding the doped monocrystalline silicon layer with the first bottom silicon layer; and removing at least part of the substrate, so as to form a thin film silicon layer on the first bottom silicon layer, wherein the thin film silicon layer at least includes a doped monocrystalline silicon layer having a partial thickness. The controllability and accuracy of the silicon layer doping concentration in the semiconductor structure can be improved, so that the semiconductor structure performance consistency and yield, in particular the consistency of intra-chip, inter-chip, intra-batch and inter-batch frequency and temperature characteristics, can be improved.
L'invention concerne un procédé de préparation d'une structure semi-conductrice, une structure semi-conductrice et un dispositif électronique, se rapportant au domaine technique de la fabrication de semi-conducteurs, et étant utilisé pour résoudre les problèmes techniques d'uniformité de performance médiocre et de faible rendement de structures semi-conductrices. Le procédé de préparation de la structure semi-conductrice consiste à : former une couche de silicium monocristallin fortement dopée sur un substrat au moyen d'une croissance épitaxiale ; former une cavité sur une première couche de silicium inférieure ; après l'inversion du substrat, lier la couche de silicium monocristallin dopée avec la première couche de silicium inférieure ; et retirer au moins une partie du substrat, de façon à former une couche de silicium en film mince sur la première couche de silicium inférieure, la couche de silicium en film mince comprenant au moins une couche de silicium monocristallin dopée ayant une épaisseur partielle. La contrôlabilité et la précision de la concentration de dopage de couche de silicium dans la structure semi-conductrice peuvent être améliorées, de telle sorte que l'uniformité et le rendement de performance de structure semi-conductrice, en particulier l'uniformité des caractéristiques de fréquence et de température intra-puce, inter-puce, intra-lot et inter-lot, peuvent être améliorés.
本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备,涉及半导体制造技术领域,用于解决半导体结构的性能均匀性差、良率低的技术问题,该半导体结构的制备方法包括:在衬底上通过外延生长方式形成重掺杂的掺杂单晶硅层;在第一底硅层上形成空腔;将衬底倒装后,使掺杂单晶硅层与第一底硅层键合;去除至少部分衬底,以在第一底硅层上形成薄膜硅层;其中,薄膜硅层至少包含部分厚度的掺杂单晶硅层。本申请能够提高半导体结构中硅层掺杂浓度的可控性及精确性,从而能够提升半导体结构的性能一致性和良率,特别是频率温度特性的片内、片间、批次内、批次间一致性。