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Nach einleitenden Bemerkungen zu den Halbleitereigenschaften und zur Halbleitermesstechnik wird die Bestimmung von Kristallorientierung und -versetzung eroertert. Die hierfuer geeigneten elektronen- und ionenoptischen Untersuchungsmethoden werden aufgezeigt. Die Bestimmung des Leitungstyps, die Messung des spezifischen Widerstandes sowie der Lebensdauer der Minoritaetstraeger werden beschrieben. Weitere Abschnitte befassen sich mit der Auswertung des Hall-Effektes, der Messung von Parametern der Halbleiteroberflaeche und der Bestimmung optoelektronischer Kenngroessen. Den Abschluss bildet die Bestimmung von Parametern duenner Schichten. Hierbei wird auf Messungen an epitaktischen einkristallinen Halbleiter- und amorphen Isolatorschichten eingegangen. Ausgehend von der zu messenden Groesse und ihrer Bedeutung fuer die Bauelemente werden jeweils Messmethode und technische Durchfuehrung der Messung erlaeutert.