There is an Open Access version for this licensed article that can be read free of charge and without license restrictions. The content of the Open Access version may differ from that of the licensed version.
Pricing information
Please choose your delivery country and your customer group
Nach Meinung von Wissenschaftlern des Lincoln Laboratory des Massachusetts Institute of Technology (MIT) koennen die derzeit dort durchgefuehrten Arbeiten zu einer revolutionierenden Neuerung im Herstellungsprozess integrierter Schaltungen fuehren. Dabei handelt es sich um die Moeglichkeit, duenne Siliziumschichten auf Quarzglas von hoher Reinheit aufwachsen zu lassen. Die erstmalige Zuechtung von Siliziumkristallen auf nichtkristallinen Substraten fuehrt moeglicherweise zu dreidimensionalen Siliziumchips, die wesentlich schnellere integrierte Schaltungen zulassen.