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Es wird ein aetzverfahren zur bestimmung oertlicher mechanischer spannungen in si o-2 - schichten beschrieben, die in trockenem o-2 auf (111)- und (100) flaechen von si erzeugt wurden. Dabei konnten spannungen in flaechen der groessenordnung 10 hoch minus 6 in. Hoch 2 gemessen werden. Es wurden zugkraefte von 1,78 mal 10 hoch 10 dyn cm hoch minus 2 in 272 angstroem dicken schichten gemessen, die ihrerseits bei transistoren zu variationen des kollektorstromes um mehrere groessenordnungen fuehren koennen. Die mechanischen spannungen haengen von der dicke der si o-2 - schicht ab. Moeglichkeiten und grenzen des messverfahrens werden diskutiert.