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Ziel dieser Arbeit war die Untersuchung der Degradation von vollständig verarmten (fully depleted) MOS-Feldeffekttransistoren (MOS-FET) auf Silicon-on-Insulator-Substraten (SOI) durch heiße Ladungsträger. Dabei wird sowohl auf die Unterschiede der Degradation von n-Kanal- und p-Kanal-Transistoren eingegangen als auch auf die unterschiedlichen Mechanismen bei der Schädigung von Gateoxid und vergrabenem Oxid sowie deren Grenzflächen zum Silicium. Außerdem wird die Abhängigkeit der Degradation von der Transistorgeometrie, dem Transistor-Layout, von den verwendeten Substraten und von den Belastungsbedingungen analysiert. Zur Untersuchung des Degradationsverhaltens wurden von Untersuchungen an Volumen-MOS-FETs bekannte und an die SOI-Transistoren angepasste Messverfahren verwendet, wie das Messen von Transistorparametern während der Belastung und das thermische Ausheilen der Schädigungen zur Bestimmung der Aktivierungsenergie der Ausheilmechanismen. Da sich das Ladungspumpen insbesondere bei vollständig verarmten Transistoren als ungeeignet erwies, wurde ein neues Ladungskopplungsverfahren zur Untersuchung von Schädigungsmechanismen an der Grenzfläche Bodybereich/vergrabenes Oxid entwickelt. Die aus der Untersuchung der Degradation von Volumen-MOS-FETs bekannten Modelle und mathematischen Beschreibungen wurden auf ihre Eignung zur Beschreibung der Degradation von SOI-MOS-FETs untersucht und erweitert. Insbesondere wurde der Einfluss der Aktivität des in jedem MOS-FET inhärent vorhandenen parasitären Bipolartransistors auf die Degradation des Transistors systematisch untersucht und erstmals auch durch ein empirisches Modell beschrieben. Die Ursachen der Degradation werden ausführlich diskutiert. Es wird festgestellt, dass die durch Degradation durch heiße Ladungsträger begrenzte Lebensdauer bei n-Kanal-SOI-MOS-FETs durch die Schädigung des Gateoxids bestimmt wird, bei p-Kanal-SOI-MOS-FETs durch die Schädigung des vergrabenen Oxids.