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Mit dem AFM wurde der Einfluß der Frühphasen beim Aufwachsen von dünnen ITO-Schichten nachgewiesen, wobei diese Schichten mit RTO hergestellt wurden (reactive thermal evaporation), was Auswirkungen auf optische und elektrische Eigenschaften zeigt. ITO-Schichten wurden bei 400K aus einer In/Sn-Legierung in Gegenwart von Sauerstoff mit (A) und ohne Abschirmung (B) zwischen Substrat und Tiegel abgeschieden. Bei A zeigt sich die Anwesenheit von Kristallkeimen kleiner als 20nm bei den ersten Wachstumsstadien. Die mittlere Korngröße und die Zahl der Körner pro Aggregat stiegen mit der Schichtdicke. Bei B zeigen die ersten Stadien die Ausbildung charakteristischer Muster mit Dimensionen bis 100nm. Mit steigender Dicke wachsen ITO-Schichten beider Serien vergleichbar. In Serie A sind aber Transmission und Schichtwiderstand verbessert.