GaN growth on silane exposed AlN seed layers (English)
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In:
ICNS, International Conference on Nitride Semiconductors, 7
;
1675-1677
;
2008
-
ISSN:
- Conference paper / Print
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Title:GaN growth on silane exposed AlN seed layers
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Additional title:Wachstum von GaN auf mit Silan behandelten AlN-Keimschichten
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Contributors:Ruiz-Zepeda, F. ( author ) / Contreras, O. ( author ) / Dadgar, A. ( author ) / Krost, A. ( author )
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Published in:Physica Status Solidi / C: Current topics in solid state physics ; 5, 6 ; 1675-1677
-
Publisher:
- New search for: Wiley-VCH
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Place of publication:Weinheim
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Publication date:2008
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Size:3 Seiten, 3 Bilder, 10 Quellen
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ISSN:
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DOI:
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Type of media:Conference paper
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Type of material:Print
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Language:English
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Keywords:Aluminiumnitrid , Behandlungsdauer , chemische Oberflächenbehandlung , Epitaxialschicht , experimentelle Untersuchung , Fertigungsverfahren , Film (Dünnschicht) , Galliumnitrid , Gitterversetzung , Mikrogefüge , MOCVD (metallorganische CVD) , Oberflächenbeschaffenheit , Oberflächenrauigkeit , Optoelektronik , Prozessentwicklung , Rasterkraftmikroskopie , Schichtwachstum , Silan , TEM (Transmissionselektronenmikroskopie) , Verfahrensoptimierung , Zeitabhängigkeit
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Source: