Programm: ForMaT - Forschung für den Markt im Team: nanostrukturierte Siliziumgrenzflächen - NanoSIS. Abschlussbericht. Laufzeit des Vorhabens: 01.03.2011 - 28.02.2013
(German)
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Im Forschungsprojekt Nano-SIS wurden grundlegende Untersuchungen zur industriellen Fertigung planarer und nanostrukturierter Solarzellen basierend auf dem Halbleiter-Isolator-Halbleiterkonzept (engl. Semiconductor-Insulator-Semiconductor (SIS)) durchgeführt. Die Skalierbarkeit des Konzeptes und die Anwendbarkeit innovativer effizienter Fertigungsprozesse wie lasergestützten Löt- und Vereinzelungsverfahren wurden demonstriert. Weiterhin offenbarten Untersuchungen zur Black Silicon Nanostrukturierung mittels Trockenätzen (ICP-RIE) oder Laserbestrahlung großes Potential zur Leistungssteigerung optoelektronischer Komponenten, speziell im Bereich der IR-Sensorik. Darüber hinaus gelang mit der Demonstration der Charakterisierbarkeit durch Thz-Emissionanalyse die Einführung einer neuartigen, kontaktlosen und rein optischen Messmethodik für Silizium-Halbleiterbauelemente.
In the research project Nano-SIS, fundamental investigations with regard to the industrial fabrication of planar and nanostructured solar cells, basing upon the semiconductor-insulator-semiconductor concept (SIS) were conducted. The concept's scalability and the applicability of innovative, efficient fabrication processes like laser-assisted soldering and isolating were demonstrated. Furthermore, examinations with respect to Black Silicon nanostructuring by means of dry etching (ICP-RIE) and laser irradiation revealed great potential for performance enhancement of optoelectronic components, especially in the field of IR sensor technology. In addition, with the demonstration of characterization through Thz emission analysis, the introduction of a novel, contactless and pure optical measurement methodology for silicon semiconductor devices succeeded.
Programm: ForMaT - Forschung für den Markt im Team: nanostrukturierte Siliziumgrenzflächen - NanoSIS. Abschlussbericht. Laufzeit des Vorhabens: 01.03.2011 - 28.02.2013