Erforschung einer MOCVD-Technologie für die industrielle Herstellung von GaN-basierten Hochspannungsbauelementen für die Leistungselektronik. Teilvorhaben. Verbundprojekt: Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand). Abschlussbericht (German)
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2013
- Report / Print
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Title:Erforschung einer MOCVD-Technologie für die industrielle Herstellung von GaN-basierten Hochspannungsbauelementen für die Leistungselektronik. Teilvorhaben. Verbundprojekt: Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand). Abschlussbericht
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Contributors:
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Published in:
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Publisher:
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Publication date:2013
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Size:55 Seiten, Bilder, Tabellen
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Type of media:Report
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Type of material:Print
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Language:German
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Keywords:Prozessentwicklung , Reaktorentwicklung , Bauelement , Leistungselektronik , Temperaturmanagement , Leistungselement , Si-Substrat , Energieeffizienz , Wirtschaftlichkeit , Nitrid , Reaktoroptimierung , Durchbruchspannung , Anlagenkonzept , Elektronenbeweglichkeit , Schichtwiderstand , Produktionsprozess , Partikelbildung , Temperaturregelung , numerische Simulation , Reaktionstechnologie
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