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Im Rahmen eines Forschungsprojektes wurden großflächige, defektarme SiC-Einkristalle und hochwertige epitaktische SiC-Schichten hergestellt um elektronische Bauteile mit SiC-Substraten zu entwickeln. Die SiC-Volumenkristalle wurden hinsichtlich der Versetzungs- und Mikroröhrendichte bei gleichzeitiger Erhöhung der Kristallhomogenität, Verringerung innerer Spannungen und Vergrößerung des Kristalldurchmessers von 25 mm auf 35 mm, Mikroröhrendichte 70 cm2 bis 400 cm2 je nach Waferdurchmesser, Versetzungsdichte von 5000 cm2 bis 20000 cm2, und Dotierstoffkonzentration von 1.5x10-18 cm-3 verbessert. Hierzu wurde eine neu entwickelte Simulation des Wärme- und Stofftransportes zur Prozeßoptimierung verwendet. Durch die Anwendung unterschiedlicher Beheizungskonzepte bei den Züchtungsreaktoren konnten wertvolle Erfahrungen für den Prozeßbereich hoher Temperaturen gewonnen werden. Es wurde deutlich, daß neben der Kristallqualität die Oberflächenbeschaffenheit der SiC-Substrate entscheidenden Einfluß auf die Eigenschaften epitaktischer Schichten hat. Wesentliche Verbesserungen konnten auch beim Epitaxieprozeß selbst erzielt werden. Erste Bauelementedemonstratoren wurden auf im Projekt hergestelltem SiC-Substratmaterial realisiert und die Eignung für die Bauelementetechnologie getestet. Die Charakterisierung der SiC-Volumenkristalle und Schichten erfolgte teilweise mit neu entwickelten elektrischen und optischen Charakterisierungsverfahren.