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Obwohl MOS-Bauelemente naturgemaess eine geringere Temperaturabhaengigkeit als Bipolarbauelemente aufweisen, spielen thermische Probleme in MOS-Strukturen keine unbedeutende Rolle. Aus diesem Grund muss der Einfluss der Bauelementetemperatur bereits beim Entwurf eines VLSI-Schaltkreises Beruecksichtigung finden, damit eine zuverlaessige Funktion im gesamten Temperaturbereich gewaehrleistet werden kann. Die 2D-Bauelementesimulation ist dabei ein wichtiges Hilfsmittel. Die vorliegende Arbeit liefert eine Zusammenstellung von Modellen fuer die Temperaturabhaengigkeit wichtiger halbleiterphysikalischer Groessen zur Verwendung in 2D-Simulationsprogrammen. Ausserdem wird ein Verfahren zur Beruecksichtigung der Temperatur- und Traegerdichteabhaengigkeit der Stoerstellenionisation bei der Loesung der Poissongleichung beschrieben, welches anhand des Tieftemperaturverhaltens von Depletionstransistoren erprobt wurde.