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Die vorliegende Arbeit beschreibt Experimente zum ballistischen Elektronentransport in 2-dimensionalen Elektronengasen. Ausgangsmaterial für die Herstellung der Proben waren AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen, die mittels MBE (Molekularstrahlepitaxie) hergestellt wurden. Die Struktur der Proben wurde über metallische Gates auf der Oberfläche definiert, mit denen durch Anlegen einer negativen Spannung das darunterliegende Elektronengas verarmt werden konnte. Um die erforderlichen Strukturgrößen von weniger als 1 Mikrometer zu erreichen, wurden elektronenlithographische Verfahren zur Strukturierung eingesetzt. Sämtliche Messungen sind bei tiefen Temperaturen in einem 3.He-Kryostaten bzw. 3.He/4.He-Mischkryostaten durchgeführt worden.