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Diese Arbeit befaßt sich mit der Berechnung und Optimierung der elektrischen Eigenschaften von SiGe-Heteropolartransistoren mit Hilfe des 2D-Bauelementesimulators TOSCA. Im Rahmen der Untersuchungen werden speziell die für Hochgeschwindigkeitsanwendungen favorisierten Vertikalprofile betrachtet. Ein wesentlicher Schwerpunkt der Arbeit ist, die für die Beschreibung eines derartigen SiGe-HBTs entscheidenden Annahmen zu prüfen und das Simulationsprogramm mit geeigneten Modellparametern (z.B. für Beweglichkeit und Bandgap Narrowing) sowie Eingabedaten (z.B. Ge- und Dotantenprofile) auszustatten. Nach Vorstellung eines an anderer Stelle entwickelten Modells für Bipolartransistoren, welches auf dem Drift-Diffusions-Ansatz basiert, wird dieses Modell durch Vergleich mit Messungen an HBTs getestet. Die Transistoren wurden am Institut für Halbleiterphysik in Frankfurt/Oder hergestellt. Ausführlich werden die Auswirkungen der HBT-Profile auf auf das statische und dynamische Verhalten der Transistoren diskutiert. Durch Vergleich mit den Meßwerten wird nachgewiesen, daß das Simulationsmodell in der Lage ist, die spezifischen statischen Eigenschaften sowie das Hochfrequenzverhalten der hergestellten Doppel-Mesa-HBTs wiederzugeben. Ferner wird auf der Grundlage von Simulationserkenntnissen ein 'halbschräges' Ge-Profil vogeschlagen und gezeigt, daß dieses Profil zusammen mit einer optimal gestalteten, niedrig dotierten Emitterzone vor allem bei kleineren Kollektorstromdichten einen zusätzlichen Vorteil im Hochgeschwindigkeitsbereich gegenüber dem konventionellen implantierten Basisprofil erbringt. Ausgehend von einer Analyse parasitärer Einflüsse werden in der Arbeit ferner, auf der Grundlage von Simulationsrechnungen, Modifikationen einer am Institut für Halbleiterphysik entwickelten Schnelltesttechnologie begründet, die schließlich zu einer Steigerung der gemessenen Transitfrequenz von etwa 55 auf 85 GHz an Transistoren mit einer minimalen Emitterlänge von etwa 2,5 mikrom führten.